Piattaforma e chipset
La combinazione vincente fra il processore Intel Core 2 Duo P9500 a 2.53GHz ed il chipset Intel GM45 della piattaforma Intel Centrino 2 garantisce prestazioni di alto livello sotto ogni punto di vista: multitasking, memoria, autonomia, emissioni termiche ed acustiche e, soprattutto, affidabilità delle connessioni wireless.
La CPU Core 2 Duo P9500 si posiziona al vertice della categoria "Power Optimized Performance", che mira al perfetto bilanciamento fra prestazioni e consumi, con processori privi di limitazioni in termini di frequenza di clock ma caratterizzati da un TDP di 25W, inferiore ai 35W standard.
Si tratta del chip ideale per un ultraportatile compatto ma potente come il sony Vaio Z perché consente di erogare potenza solo quando realmente richiesto dalle applicazioni in uso.
Per un approfondimento consigliamo la lettura della nostra Guida ai componenti della piattaforma Intel Centrino 2.
Tutti questi chip sono ospitati su una innovativa motherboard stratificata su 12 livelli, nella quale i fili sono inglobati direttamente nella scheda logica. Solo in questo modo, infatti, gli ingegneri Sony avrebbero potuto raggiungere l'obiettivo di rimpicciolire del 40% l'area occupata dalla motherboard.
Memoria
La dotazione di memoria del notebook oggetto di questa recensione è costituita da due banchi SoDIMM DDR3-1066 da 2048MB ciascuno, prodotti da Elpida, contraddistinti dal seriale EBJ21UE8BAU0-AE-E (E8FD403Dh). Trattandosi di due moduli gemelli, è stato possibile attivare il Dual Channeling per ottenere così un ulteriore piccolo incremento di performance.
Le memorie DDR3 uniscono velocità e efficienza energetica, costituendo attualmente l'eccellenza in ambito mobile. Solo il loro prezzo impedisce, per il momento, la diffusione generalizzata di queste RAM sui laptop. Si tratta quindi di componenti che vanno ad equipaggiare unicamente sistemi di fascia medio-alta. Sony è stata fra le prime aziende ad adottare questo tipo di memorie su intere serie di notebook, fra le quali figura anche la famiglia VAIO Z.
Caratteristiche tecniche di ciascun modulo RAM Elpida EBJ21UE8BAU0-AE-E:
- Nome modulo: Elpida EBJ21UE8BAU0-AE-E
- Numero di serie: E8FD403Dh (1027669480)
- Data di produzione: Settimana 32 / 2008
- Capacità modulo: 2 GB (2 ranks, 8 banks)
- Tipo modulo: SO-DIMM
- Tipo memoria: DDR3 SDRAM
- Velocità: DDR3-1066 (533 MHz)
- Ampiezza bus: 64 bit
- Voltaggio: SSTL 1.8
- Metodo rilevamento errore: Nessuno
- Frequenza di aggiornamento: Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
- Timing della memoria:
- Memory Timings:
@ 533 MHz 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-59-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 457 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-4-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
