Processore, piattaforma e memoria
Il Samsung Serie 7 Chronos è dotato di una piattaforma hardware particolarmente valida, adatta a un uso all-round che non prescinde dalla possibilità di giocare 3D in modo più che soddisfacente anche con i titoli più recenti ed esigenti.
L'azienda coreana ha dunque scelto per il suo Serie 7 Chronos due processori Intel, il Core i7-2675QM con clock rate di 2,3 GHz, appartenente alla seconda generazione Sandy Bridge, e il Core i7-3615QM che invece è un Ivy Bridge di ultima generazione ed ha un clock rate di 2.3 GHz.
Quest'ultimo è quello che equipaggia il device che abbiamo in test. Si tratta di una CPU quad core con un TDP massimo di 45 W, comprensivo anche del sottosistema grafico integrato e del controller di memoria.
La CPU ha 6 MB di cache L3, inoltre la frequenza di lavoro può raggiungere i 3.3 GHz grazie all'overclock dinamico effettuato dalla tecnologia Intel Turbo Boost a seconda del carico di lavoro istantaneo di ciascuno dei quattro core.
Ad affiancarlo come sempre c'è il Platform Controller Hub (PCH) Intel HM77 Panther Point, che si occupa della gestione delle interfacce di I/O e dell’audio. Il PCH in questione inoltre supporta opzionalmente anche la tecnologia di sicurezza Intel Anti Theft, che consente di bloccare il PC da remoto o rintracciarlo in caso di furto o smarrimento e Intel Rapid Storage, un sistema che tramite un'interfaccia centralizzata permette di vedere informazioni sui dischi, monitorarne lo stato di funzionamento e compiere operazioni sulle eventuali matrici RAID presenti nel sistema.
Il controller integrato all'interno della CPU supporta fino a due slot So-DIMM di RAM DDR3 a 1333 o 1600 MHz, anche se i Samsung Series 7 Chronos possono essere equipaggiati con un massimo di 8 GB di RAM, come nel caso dell'esemplare in test. Samsung infatti ha adottato anche in questo caso una soluzione mutuata in parte dagli ultrabook. 4 GB di RAM, la dotazione minima per questo modello, sono saldati direttamente sulla scheda madre, mentre come sappiamo sul fondo si può accedere a uno slot aggiuntivo per aggiungere eventualmente altri 4 GB di RAM. Per questo motivo il software AIDA64 Extreme Edition non è stato in grado di rilevare modello e impostazioni delle memorie saldate sul PCB ma ha potuto soltanto indicare genericamente che si trattava di 4 GB di RAM DDR3-1600 prodotti da Elpida. Il modulo aggiuntivo da 4 GB invece è prodotto da Samsung stessa, è targato M471B5273DH0-CK0 ed ha le seguenti caratteristiche:
- Modello: Samsung M471B5273DH0-CK0
- Capacità modulo: 4 GB (2 ranks, 8 banks)
- Tipo modulo: SO-DIMM
- Tipo memoria: DDR3 SDRAM
- Velocità: DDR3-1600 (800 MHz)
- Ampiezza bus: 64 bit
- Voltaggio: 1.5 V
- Metodo rilevamento errore: Nessuno
- Produttore DRAM: Samsung
- Timing della memoria:
- @ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-128-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
- @ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-122-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
- @ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-110-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
- @ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
- @ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
- @ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
- @ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
