Processore, piattaforma e memoria
Il Samsung R710 è basato sulla piattaforma per computer portatili Intel Centrino 2 (Montevina), composta nello specifico da un processore Intel Core 2 Duo P8600, un chipset Intel PM45 (con southbridge ICH9M) ed una scheda wireless Intel WiFi Link 5100.
Intel Core 2 Duo P8600 è una CPU Penryn a 45nm dotata di una frequenza di clock di 2.40 GHz e di un bus di 1066 MHz, ma la cache di secondo livello di soli 3 MB rende le prestazioni decisamente inferiori a quelle offerte da un Intel Core 2 Duo T9400 montato da diversi consumer anche di fascia inferiore.
La scelta di adottare un processore P8600 risulta quindi dettata piuttosto dall'esigenza di contenere il prezzo per l'utente finale. Le performance sono comunque adeguate e non dobbiamo segnalare “colli di bottiglia” evidenti, mentre il TDP inferiore può aiutare ad ottenere un leggero incremento nella durata della batteria.
La dotazione di memoria RAM comprende due banchi Samsung da 2 GB ciascuno (con funzionamento in Dual Channel simmetrico) in modo da arrivare complessivamente al quantitativo di 4 GB. La velocità delle memorie è consistente: si tratta di uno dei rari casi in cui si è deciso di utilizzate in un notebook mainstream una coppia di moduli DDR3-1066!
Specifiche tecniche moduli di memoria:
- Nome: Samsung M471B5673DZ1-CF8
- Tipo modulo: DDR3 SDRAM SO-DIMM (200 pin)
- Velocità: DDR3-1066 (533 MHz)
- Ampiezza bus: 64 bit
- Altre caratteristiche: Supporto per Extended Temperature Range, sensore temperatura assente
- Timing della memoria:
@ 533 MHz 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-59-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 457 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-4-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)