AMD Krishna e Wichita, APU per tablet AMD intende entrare di prepotenza nel settore dei tablet con due APU, Krishna e Wichita, specificamente progettate per l’impiego su tali device. Tra i punti di forza, i consumi particolarmente contenuti.


AMD non intende commettere errori nel suo ingresso nel settore dei tablet. Considerando che la prima generazione di APU a basso consumo, nome in codice Ontario e Zacate, presentano un TDP di 9 e 18 W, esse non rappresentano soluzioni particolarmente indicate per i tablet. Proprio per questa ragione, il chipmaker californiano sta sviluppando nuove architetture che possano sposarsi ottimamente con le caratteristiche tipiche dei tablet.

AMD Krishna e Wichita

Con Krishna e Wichita, AMD intende offrire APU progettate in modo specifico per l’impiego su notebook ultrasottili, netbook e tablet. Questi due modelli, infatti, sono costruiti mediante processo produttivo a 28 nanometri e sono caratterizzati da una ridotta richiesta di energia che si traduce in maggiore autonomia per i dispositivi e in una più semplice dissipazione del calore, aspetti chiave per device particolarmente compatti e votati alla mobilità.

Le specifiche tecniche delle due APU non sono ancora state rese note ma si può ipotizzare che Krishna sarà composto da 2 o 4 Core Bobcat x86 mentre Wichita da 1 o 2 Core a basso consumo e con clock probabilmente ridotto. L’idea sarebbe quella di ottenere un TDP non troppo diverso da 3 W. Entrambe le soluzioni, dotate di supporto alle librerie grafiche DirectX11 così come accade per le varie soluzioni appartenenti alla famiglia Fusion, dovrebbero avere una realizzazione pratica nel 2012 considerando le indicazioni del CEO di AMD Dirk Meyer che colloca la produzione dei primi esemplari alla fine del 2011.

Nello stesso anno, AMD APU ha in programma la presentazione ufficiale delle APU Trinity basate sull'architettura "next-generation Bulldozer" e composte da 2/4 core con GPU DX11 integrata. Tale soluzione è destinata al settore mainstream e sarà realizzata sfruttando un processo produttivo da 32 nanometri.

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