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Samsung SSD 850 EVO, 3D NAND per tutti

Samsung SSD 850 EVO, 3D NAND per tuttiDopo l'esordio degli SSD 850 Pro con le cosiddette V NAND (o celle a sviluppo verticale), Samsung ha presentato i drive SSD 850 EVO, che portano questa tecnologia in prodotti meno costosi e più accessibili, anche se a scapito di prestazioni e longevità.

I nuovi Samsung 850 EVO sono drive a stato solido che utilizzano celle V NAND o 3D NAND, ossia a sviluppo verticale invece che planare, come quelle utilizzate nei recenti SSD 850 Pro. Il colosso coreano però ha trovato il modo di portare tale soluzione in una lineup di prodotti dal costo più accessibile, abbinandola a memorie meno costose, anche se ovviamente meno performanti e con una durata media inferiore.

Come ricorderete, seguendo un po' quanto accaduto anche nell'ambito dei processori con la tecnologia Intel Tri-Gate 3D, le nuove celle V-NAND (Vertical NAND) risolvono il problema della densità affidandolo a una sistemazione verticale anziché planare delle celle che formano ogni singolo chip di memoria. In questo modo si sono ottenuti diversi vantaggi: anzitutto è stato possibile tornare a sistemi litografici con miniaturizzazioni meno spinte, passando da 19 a 40 nm e questo, assieme al fatto che le celle non sono contigue, ha migliorato la situazione per quanto riguarda le interferenze elettriche, aumentando così l'affidabilità nel tempo.

Sviluppare poi processi di produzione sempre più avanzati ha costi realizzativi molto elevati che si riflettono negativamente sul prezzo finale del prodotto e introducono problemi tecnici di non facile risoluzione, come sa bene anche Intel che ultimamente ha dovuto far slittare in avanti di diversi mesi l'esordio delle CPU Broadwell a 14 nm proprio a causa di problemi di ottimizzazione dei wafer di silicio. Sviluppare le celle in verticale anziché in orizzontale, occupando meno spazio anche senza ricorrere a miniaturizzazioni eccessive, ha consentito così a Samsung di risolvere diversi problemi in un colpo solo.

Tuttavia gli SSD 850 Pro utilizzavano memorie di tipo MLC (Multi Level Cell), in grado di ospitare due bit per ciascuna cella, abbastanza performanti ma dal costo ancora elevato anche se non quanto quello delle SLC (Single Level Cell) spesso utilizzate nelle soluzioni professionali ed enterprise. La novità introdotta dunque con i nuovi SSD Samsung 850 EVO è stata quella di abbinare la tecnologia 3D NAND a chip di tipo TLC (Triple Level Cell), una variante delle MLC che è in grado di ospitare 3 bit per ogni cella invece di 2. In questo modo la densità per ogni singolo chip sale, abbattendo ulteriormente i costi e rendendo questi SSD sicuramente più abbordabili da un maggior numero di consumatori.

Samsung SSD 850 EVO

Tutto questo però ha anche qualche risvolto negativo. Ogni cella infatti, contenendo più dati, è sollecitata più di frequente e con voltaggi più elevati e si deteriora dunque altrettanto velocemente, senza contare che è necessaria una maggior quantità di tempo per accedere ai dati stessi. Ovviamente, poiché la vita media di questo tipo di soluzioni ammonta comunque a diversi anni, e poiché esse sono destinate soprattutto a un pubblico consumer che non ha la necessità di prestazioni estreme, questi svantaggi non saranno rilevabili nell'uso quotidiano e comunque saranno ampiamente giustificati da un prezzo più contenuto, che però Samsung non ha ancora annunciato.

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