Samsung Electronics, multinazionale coreana leader nel settore della tecnologia mobile, ha annunciato di aver sviluppato il primo chip di memoria NAND flash con miniaturizzazione a 30 nanometri e con una capacità di immagazzinamento di ben 8 GB, quattro volte maggiore rispetto a quellii attualmente in commercio, attraverso la tecnologia MLC (Multi Level Cell). Affiancando 16 chip di questo tipo, si potrebbe raggiungere una capacità di memorizzazione pari a 128GB su una memory card.
Il merito di questo risultato va attribuito ad una nuova tecnologia brevettata da Samsung, SaDPT (Self-aligned Double Patterning Technology), che avrebbe consentito di superare un collo di bottiglia nella realizzazione di chip di memoria a 30nm.
Secondo le prime stime della società di analisi Gartner, il giro di affari legato a questi chip dovrebbe essere di circa 20 miliardi di dollari nei primi tre anni di produzione. Le memorie NAND Flash a 30nm potrebbero costituire anche i componenti-base dei primi hard disk SSD (Solid State Drive) da 512GB con fattore di forma di 1,8 pollici, che la multinazionale ha preannunciato per il 2009.
I vantaggi in termini di sicurezza, silenziosità e risparmio energetico offerti dalle memorie allo stato solido, le rendono la migliore soluzione per la memorizzazione dei propri dati personali o per l'archiviazione dei propri file multimediali o di lavoro. Per queste caratteristiche, i drive basati su memorie NAND Flash sono solitamente utilizzati in subnotebook, ultraportatili e in altri dispostivi dell’elettronica mobile di consumo, come videocamere digitali, telefoni cellulari, lettori musicali e multimediali.