Intel e Micron hanno annunciato qualche giorno fa un nuovo shrinking del processo litografico adottato per le memorie NAND Flash. Nella seconda metà del 2011 infatti saranno prodotte a 20 nm, rendendo così possibili memorie di massa per ultraportatili con ingombri e costi minori.
Giovedì scorso, con un breve comunicato stampa, IMFT (Intel Micron Flash Technologies), la joint venture formata da Intel e Micron, ha annunciato di aver raggiunto un nuovo traguardo nella produzione di memoria NAND Flash di tipo MLC (Multi Level Cell), quelle attualmente più utilizzate per SSD e memorie destinate a smartphone e tablet. Le due aziende infatti hanno affermato di aver prodotto per prime un modulo da 8 GB basato su processo produttivo a 20 nm.
Ricordiamo che l'anno scorso IMFT era già stata protagonista di un altro die shrinking delle memorie NAND Flash, portandole a 25 nm. Tuttavia questo ulteriore step porta a diversi vantaggi: il nuovo modulo da 8 GB infatti misura appena 118 mm2, con una riduzione dello spazio occupato stimabile tra il 30-40 % rispetto alle memorie NAND a 25 nm attuali. IMFT ha inoltre dichiarato che le nuove memorie possono contare sulla stessa affidabilità e le stesse prestazioni di quelle a 25 nm, offrendo però un abbassamento dei costi di produzione (grazie all'aumento della resa dei wafer a parità di dimensioni) e soprattutto un vantaggio per i produttori di dispositivi ultraportatili.
Secondo Tom Rampone, Intel executive, la riduzione dello spazio occupato permetterà infatti agli sviluppatori di utilizzare batterie di maggiori dimensioni, display più grandi o anche di introdurre altri chip per supportare nuove funzioni, oltre ovviamente a poter integrare maggiori quantitativi di memoria su tablet e smartphone. La compagnia prevede di convertire tutte le sue fabbriche entro l'anno, a partire da quella in Utah, seguita da quelle della Virginia e di Singapore. Per quanto riguarda i tempi di disponibilità sul mercato, l'annuncio è stato ovviamente fatto sulla base di un esemplare di pre-produzione, mentre quella ufficiale non inizierà prima della seconda metà del 2011.
Per allora però IMFT si aspetta di avere già disponibili sample a 16 GB che dovrebbero permettere di realizzare singoli chip da 128 GB delle dimensioni di un francobollo. La riduzione di costo rispetto all'attuale controparte da 25 nm non sarà invece altrettanto sensibile, ma dovrebbe comunque permettere la produzione di SSD e memorie meno costose già verso la fine dell'anno in corso, anche perchè per allora si prevede che anche il costo dei controller SSD per le NAND Flash 2x nm dovrebbe essere contestualmente diminuito.
