Sono ufficiali i nuovi Samsung SSD 850 Evo con 3-bit V-NAND. Saranno i punti di riferimento del settore in termini di prestazioni, efficienza, affidabilità e innovazione tecnologica.
Ad IFA 2014 a settembre, eravamo stati fra i pochi ad accorgerci della presenza del primo prototipo di SSD Samsung serie 850 Evo in un angolo dello stand del produttore coreano. Si trattava infatti di un'inattesa anteprima in vista del lancio ufficiale, e Samsung stessa manteneva un certo riserbo sulle caratteristiche tecniche fondamentali.
Riserva che finalmente si scioglie oggi con il lancio ufficiale sul mercato della famiglia Samsung SSD 850 Evo, la prima a sfruttare la tecnologia 3-bit (TLC, Triple Level Cell) V-NAND (Vertical NAND). Se gli acronimi ed i tecnicismi dovessero risultarvi impenetrabili, consideratela come la combinazione di due tecnologie di cui Samsung Semiconductors è stata pioniera. La prima era stata introdotta a fine 2012 e consiste nell'immagazzinare 3 bit in ciascuna cella, mentre la seconda, recentissima, ha debuttato pochi mesi fa sugli SSD 850 Pro e presenta una struttura verticale anziché planare delle celle.
Si sommano anche i vantaggi delle due tecnologie: si riescono a raggiungere maggiori densità di archiviazione e minori costi di produzione senza compromettere eccessivamente l'affidabilità come invece accadeva in passato. Non a caso Samsung ha scelto lo slogan "Il nuovo paradigma per prestazioni e durata" per il lancio dei nuovi SSD 850 Evo.
I tagli sostanzialmente ricalcano quelli della precedente serie Samsung SSD 840 Evo, con capacità di 120GB, 250GB, 500GB e 1TB con l'esclusione del modello da 750GB considerato poco appetibile dal mercato. I colleghi di Anandtech riferiscono anche che c'erano voci di un possibile maxi-formato da 2GB ma che per il momento Samsung avrebbe deciso di soprassedere.
Come per gli SSD 850 Pro, anche per i nuovi SSD mainstream serie 850 Evo abbiamo ben 32 livelli di celle con processo litografico a 40nm. Se pensate che un anno fa, con la distribuzione planare delle celle, per ottenere simili densità di immagazzinamento era necessario ricorrere a processi litografici dell'ordine dei 10nm, è evidente che la nuova architettura comporta minori problemi in termini di affidabilità e durata nel tempo.
Sono entrambi fattori non trascurabili soprattutto nel caso di celle TLC che immagazzinando 3 bit contro i 2 bit delle MLC tradizionali e quindi sono decisamente più sollecitate (qui un approfondimento circa tunneling, livelli di tensione e DSP nelle NAND Samsung TLC).
Abitualmente misuriamo la durata delle celle in cicli P/E (cicli di scrittura/cancellazione) ma per misurare la durata delle due memoria NAND TLC a sviluppo verticale, Samsung preferisce una nuova misura, TBW, il numero totale di TeraByte che possono essere scritti sul disco e che era di soli 43 TBW per gli 840 Evo mentre sale a ben 75 TBW per gli 850 Evo da 120 e 250GB per raggiungere i 150TBW per i tagli da 500GB ed 1TB (identico al valore degli SSD di fascia alta della serie 850 Pro). Sostanzialmente il TBW equivale rispettivamente a circa 40GB e 80GB di dati scritti al giorno per cinque anni, periodo di tempo che corrisponde alla garanzia del produttore.
Da consuetudine per Samsung, anche gli SSD 850 Evo sono interamente progettati e realizzati con componenti realizzati direttamente dalla multinazionale coreana, ma con una novità rispetto alle serie precedenti, rappresentata da un nuovo controller MGX che va ad affiancarsi al precedente MEX che continua ad essere impiegato per il modello da 1TB. MGX si differenzia dal MEX per una architettura semplificata, con soli 2 core ARM e quindi con una migliore efficienza energetica.
| Capacità | 120GB | 250GB | 500GB | 1TB |
|---|---|---|---|---|
| Controller | Samsung MGX | Samsung MEX | ||
| DRAM (LPDDR2) | 256MB | 512MB | 1GB | |
| Lettura seq. | 540 MB/s | |||
| Scrittura seq. | 520 MB/s | |||
| Lettura random | 94.000 IOPS | 97.000 IOPS | 98.000 IOPS | |
| Scrittura random | 88.000 IOPS | 90.000 IOPS | ||
| Sicurezza | AES-256, TCG Opal 2.0, IEEE-1667 (eDrive) | |||
| Durata | 75TBW | 150TBW | ||
| Garanzia | 5 anni | |||
| Prezzo | 100$ | 150$ | 270$ | 500$ |
Insomma gli SSD 850 Evo sono destinati a rafforzare la leadership di Samsung nel settore dello storage a stato solido assicurando peraltro le migliori prestazioni della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. Non mancano la tecnologia di cache RAPID, l'eccellente software proprietario Magician e tutte le altre caratteristiche di sicurezza e gestione che abbiamo sempre apprezzato sugli SSD Samsung.
Ai drive SSD Samsung 850EVO nel formato da 2.5 pollici con interfaccia SATA III seguiranno nel corso del 2015 le versioni mSATA e M.2, basate sulla stessa tecnologia 3-bit V-NAND.
