Qualcomm potrebbe rilasciare a breve un nuovo SoC top-di-gamma: Snapdragon 835 è prodotto da Samsung con processo FinFET a 10 nanometri e GPU Adreno 540. Il lancio è previsto al CES 2017?
Lo Snapdragon 835 sarà il prossimo SoC top-di-gamma di Qualcomm ed, anche se è ancora un po' presto per parlare di aspetti tecnici e prestazionali, il processore ha fatto capolino in alcuni benchmark online. Leggendo i risultati, il prossimo Snapdragon 835 sarà il più potente mai realizzato: l'azienda di San Diego si è sempre fatta notare per le sue soluzioni ad alta potenza e a basso consumo, ma i numeri raggiunti da questo chip (sottolineiamo iniziali, quindi su un SoC non ancora ottimizzato) spiazzano la concorrenza. Letteralmente.
Per quanto ne sappiamo, anche se non ci sono ancora conferme ufficiali, il chip Qualcomm sarà prodotto con un nuovo processo produttivo FinFET a 10 nanometri di Samsung. E già questo dovrebbe bastare per giustificare un significativo incremento delle performance rispetto ai processori con processo produttivo a 14 nanometri. La dimensione del chip è stata ridotta del 30%, quindi dovrebbe occupare meno spazio a bordo, e Qualcomm sostiene che possa portare miglioramenti del 27% in termini prestazionali su architettura octa-core ed una riduzione dei consumi energetici del 40% circa.
AnTuTu e GFXBench confermano le previsioni: stando ai risultati preliminari, un Qualcomm Snapdragon 835 potrebbe eguagliare (se non battere) un Apple A10, con performance grafiche eccezionali grazie alla GPU Adreno 540.
Quindi Snapdragon 835 è un processore promettente che, grazie alla riduzione delle dimensioni e dei consumi, potrebbe inaugurare una nuova linea di dispositivi performanti. E se fosse il processore scelto da Qualcomm per supportare Windows 10 sui primi notebook? Ne sapremo di più al CES 2017, potete contarci.
Via: Slashgear
