Toshiba ha annunciato lo sviluppo dei primi chip di memoria NAND Flash realizzati con processo produttivo a 32 nanometri: i sample dei moduli da 4GB sono già disponibili, mentre per quelli da 2GB ed 8GB bisognerà attendere il mese di luglio.
Toshiba rafforza la leadership nello sviluppo e realizzazione di chip di memoria basati su tecnologia NAND Flash, annunciando i suoi primi prodotti fabbricati con processo produttivo a 32 nanometri. I nuovi chip sfrutteranno l'architettura 3-bit-per-cell ed un design del circuito ottimizzato, anche se non vi saranno grossi cambiamenti a livello strutturale nei confronti degli attuali chip da 43nm 2-bit-per-cell. I sample dei chip con densità di 4GB (32 Gigabit) sono disponibili a partire da oggi, mentre per il mese di luglio dovrebbero essere pronti i primi sample con capacità di 2GB (16 Gigabit), ai quali dovrebbero seguire immediatamente le proposte da 8GB (64 Gigabit).
La produzione di massa avrà inizio a partire da luglio 2009, con due mesi di ritardo rispetto alla roadmap originaria; la commercializzazione dei primi prodotti dovrebbe quindi avere inizio dal terzo trimestre fiscale del 2009 (da ottobre a dicembre del 2009), e sarà applicata inizialmente alle schede di memoria ed alle memorie USB, per poi passare alle periferiche embedded.
Gli ingegneri ed i ricercatori del colosso nipponico stanno studiando la possibilità di realizzare chip di memoria NAND Flash con un processo produttivo compreso tra il range dei 20 ed i 30 nanometri, la cui produzione dovrebbe avere inizio tra la fine del 2010 e l'inizio del 2011, salvo intoppi. Sarà possibile escogitare un metodo che consenta il superamento del limite fisico dei 30nm per la fabbricazione di memorie Flash NAND-based?
