Samsung realizza memoria DDR3 da 4Gb e 50nm Il chipmaker coreano Samsung ha annunciato lo sviluppo del primo chip di memoria DDR3 da 4Gbit, realizzato con un processo produttivo a 50 nanometri: con la nuova tecnologia si potranno implementare moduli di memoria RAM più capienti e performanti.

Samsung annuncia oggi il raggiungimento di un importante traguardo relativo alla tecnologia di produzione delle memorie RAM DDR3, sviluppando il primo chip con densità di 4Gb (gigabit) al mondo: per lo sviluppo è stato utilizzato un processo produttivo a 50 nanometri, che non solo permette di creare chip dalle piccole dimensioni ed elevata densità, ma contribuisce anche alla riduzione dei consumi e del calore generato. Grazie ad i nuovi chip realizzati dal produttore coreano, sarà possibile venire incontro alle esigenze dei data center, che potranno ridurre i costi ed incrementare l'efficienza tramite l'utilizzo di un minor numero di server con più memoria RAM installata.

Samsung realizza memoria DDR3 da 4Gb e 50nm

I chip da 4Gb DDR3 di Samsung saranno impiegati per la produzione di moduli di memoria RDIMM per server (registered dual in-line memory modules) da 16GB, moduli UDIMM (unbuffered DIMM) da 8GB per workstation e normali PC, e persino moduli SODIMM (small outline DIMM) per sistemi notebook. Sfruttando invece la tecnologia dual-die package, sarà possibile integrare su un singolo modulo fino a 32GB di memoria DDR3. I nuovi chip sono stati inoltre progettati per ridurre ulteriormente i consumi rispetto alle normali memorie DDR3 da 1.5V: sono infatti in grado di operare a 1.35V, e di raggiungere una velocità di trasferimento dati pari ad 1.6Gbps.

Il risparmio di energia sarà dunque notevolissimo per soluzioni ad elevata densità: se prendiamo in considerazione una configurazione da 16GB, sfruttando i chip da 4Gb DDR3 si avrà un consumo inferiore di addirittura il 40% rispetto alla medesima configurazione realizzata con chip da 2Gb.

"Con lo sviluppo dei nostri chip di memoria DDR3 da 4Gb, realizzati con il processo produttivo di ultima generazione a 50nm, abbiamo posto le basi per una rivoluzione che si tradurrà in un significativo risparmio sui costi per il mercato server e per quello globale"
ha dichiarato Kevin Lee, VP del settore Technical Marketing, Samsung Semiconductor, Inc.

 

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