Home News Samsung: memoria DDR2 a 40nm

Samsung: memoria DDR2 a 40nm

Samsung: memoria DDR2 a 40nmSamsung annuncia il rilascio dei primi moduli di memoria RAM DDR2 con processo produttivo a 40nm. I banchi di memoria saranno destinati ai notebook, perchè costruiti su moduli SO-DIMM.

Qualche giorno fa, verso la fine di gennaio, Samsung ha presentato i suoi primi moduli di memoria DDR3 a 4Gb, ma oggi comunica di aver completato lo sviluppo dei primi chip di memoria RAM DDR2 con processo produttivo a 40 nanometri, dei quali a breve inizierà la produzione su scala industriale. Secondo l'azienda sudcoreana, questa tecnologia permetterebbe di aumentare fino al 60% la produttività rispetto agli attuali metodi di produzione a 50 nanometri. A capacità equivalenti, i nuovi chip consumerebbero inoltre fino al 30% in meno di energia.

Samsung Memoria

Per il momento, Samsung ha confermato lo sviluppo di una versione da 1Gb su moduli SO-DIMM (un tipo di memoria destinata soprattutto ai computer portatili) con una capacità totale di 1GB (cioè 8 moduli per singolo lato). Questo tipo di memoria sarebbe stata già riconosciuta e controllata da Intel per un utilizzo in abbinamento ai suoi chipset serie GM45.

Per quanto riguarda i nuovi metodi di produzione applicati alle memorie DDR3, Samsung conferma di riuscire a lanciare la fabbricazione di moduli da 2Gb prima della fine del 2009.

 

Commenti (0) 

RSS dei commenti
Scrivi un commento
Si deve essere connessi al sito per poter inserire un commento. Registratevi se non avete ancora un account.

busy