La joint venture composta da Intel e Micron raggiunge oggi un importante traguardo tecnologico: la produzione di massa dei chip di memoria NAND Flash da 32Gb (4GB) con tecnologia MLC e processo produttivo a 34 nanometri.
Intel Corporation e Micron Technology Inc. hanno annunciato l'inizio della produzione di chip di memoria NAND Flash MLC con processo produttivo a 34 nanometri: i chip hanno una densità di 32 Gigabit (pari a 4 GigaByte) e saranno prodotti direttamente dalla joint venture formata dai sue chipmaker, IM Flash Technologies (IMFT). Si tratta della tecnologia più avanzata nella produzione di chip monolitici da 32Gb. Essi saranno infatti i primi a poter essere montati su thin small-outline package (TSOP) da 48 pin.
"Abbiamo fatto passi da gigante nello sviluppo della tecnologia NAND, e siamo adesso in una posizione di leadership per la produzione a 34 nanometri." ha commentato Brian Shirley, Vice President di Micron Memory Group. "I piccolissimi chip da 32Gb e 34nm permetteranno ai nostri clienti di incrementare facilmente la capacità di storage di un gran numero di dispositivi e prodotti."
"I risultati conseguiti da IMFT hanno superato le nostre aspettative." afferma invece il Vice President e General Manager di Intel NAND Solutions Group, Randy Wilhelm. "Grazie ad una così solida supremazia nella produzione di chip di memoria NAND siamo in grado di proporre ai nostri utenti soluzioni delle ottime performance e consumi ridottissimi."
I chip da 32Gb sono prodotti su wafer da 300 millimetri, ed hanno una superficie individuale di soli 172 mm² (meno dell'unghia di un pollice). Le meraviglie del processo produttivo non solamente permetteranno di abbassare i costi, dal momento che con un solo wafer potranno essere prodotti più chip, ma permetteranno di realizzare soluzioni ideali per dispositivi di piccole dimensioni come ad esempio le fotocamere e videocamere digitali, i lettori mp3, e così via.
Naturalmente i chip potranno essere utilizzati anche per la produzione di drive allo stato solido (SSD) ad alta densità, dei quali verranno abbatuti i costi ed incrementata la capacità. Al momento le due compagnie sono in procinto di realizzare (per l'inizio del 2009) i primi sample di soluzioni multi-level cell (MLC) e single-level cell (SLC) a densità minore con processo produttivo a 34nm.
