Samsung: memorie LPDDR2 per tablet e smartphone

Samsung Electronics ha annunciato il primo modulo RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) da 8 GB. La notizia conferma l’impiego della tecnologia Green DDR3 DRAM. Il nuovo chip di memoria è caratterizzato da elevate prestazioni abbinate a consumi particolarmente ridotti. Tali risultati sono stati ottenuti impiegando chip DDR3 sviluppati mediante tecnologia TSV (Through Silicon Via) basata sulla disposizione verticale della circuiteria.

L’azienda è convinta che tale tecnologia sia alla base per lo sviluppo di memorie a basso consumo e contraddistinte da prestazioni estremamente elevate. Infatti, a titolo d’esempio, i nuovi moduli richiedono in media circa il 40% in meno di energia rispetto a quelli attualmente in commercio, una riduzione piuttosto significativa. TSV, inoltre, sarà la chiave vincente per poter ottenere un aumento importante della densità delle memorie, caratteristica che si sta rendendo via via più indispensabile a causa della riduzione degli slot di memoria sui sistemi.

L’idea alla base di tale progetto, che potrebbe apparire paradossale ad un primo guardo, è quella di ridurre i consumi aumentando contestualmente le prestazioni e la capacità. Sebbene il chip presentato da Samsung sia costruito mediante processo produttivo da 40 nanometri, l’azienda ha in programma di scendere ai 30 nanometri e ancora oltre. Già a partire dal 2012, sempre secondo le ipotesi del colosso taiwanese, TSV dovrebbe sperimentare una diffusione molto maggiore.

Ricordiamo inoltre che, sempre dal produttore, arrivano nuove memorie espressamente dedicate al settore mobile che presentano prestazioni prossime a quelle installate su diversi PC attualmente in commercio. Si tratta delle memorie 4-gigabit (Gb) LPDDR2 DRAM capaci di trasferire i dati con velocità fino a 1.066 megabit per secondo (Mbps) contro i 333 Mbps o 400 Mbps che contraddistinguono quelle odierne. Sono realizzate impiegando un processo produttivo a 30 nanometri, particolarmente efficiente.

Samsung non è nuova allo sviluppo di tali tipi di memorie. Già agli inizi dell’anno in corso aveva prodotto un chip da 2 Gb ma utilizzando un processo produttivo meno efficiente. Il colosso coreano è impegnato in maniera costante sul fronte delle memorie. Infatti, pochi mesi fa, ha annunciato il rilascio dei primi chip PRAM a cambiamento di fase. A seguire anche Intel e Numonyx i quali hanno annunciato un passo avanti significativo nella ricerca in questo tipo di memorie.

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