Samsung: memoria DDR2 a 40nm

Qualche giorno fa, verso la fine di gennaio, Samsung ha presentato i suoi primi moduli di memoria DDR3 a 4Gb, ma oggi comunica di aver completato lo sviluppo dei primi chip di memoria RAM DDR2 con processo produttivo a 40 nanometri, dei quali a breve inizierà la produzione su scala industriale. Secondo l'azienda sudcoreana, questa tecnologia permetterebbe di aumentare fino al 60% la produttività rispetto agli attuali metodi di produzione a 50 nanometri. A capacità equivalenti, i nuovi chip consumerebbero inoltre fino al 30% in meno di energia.

Per il momento, Samsung ha confermato lo sviluppo di una versione da 1Gb su moduli SO-DIMM (un tipo di memoria destinata soprattutto ai computer portatili) con una capacità totale di 1GB (cioè 8 moduli per singolo lato). Questo tipo di memoria sarebbe stata già riconosciuta e controllata da Intel per un utilizzo in abbinamento ai suoi chipset serie GM45.

Per quanto riguarda i nuovi metodi di produzione applicati alle memorie DDR3, Samsung conferma di riuscire a lanciare la fabbricazione di moduli da 2Gb prima della fine del 2009.

• « Transcend: SSD da 192GB
• Nvidia Ion in test: si aprono nuove frontiere »