Recensione Samsung N120 - Processore, piattaforma e memoria

Processore, piattaforma e memoria

Il Samsung N120 è basato sulla collaudatissima piattaforma Intel Navy Pier, nota anche come "piattaforma Atom" dal nome del suo processore. E’ composta da un chipset Intel GSE 945, variante di un chipset per notebook Centrino del lontano 2005, e da un processore Intel Atom Diamondville N270. Quest’ultimo è caratterizzato da una frequenza di clock pari a 1.60 Ghz, cache L2 di 512 KB e bus di 533 MHz. Il processo produttivo è a 45nm e il consumo energetico massimo si assesta sui 2.5W, superiore di circa 0.5W rispetto alle più recenti soluzioni di pari frequenza basate sulla piattaforma Menlow (piattaforma Atom propriamente detta).

Il TDP massimo dell’intera piattaforma è di circa 8 W, e pertanto è una soluzione piuttosto vantaggiosa per subnotebook economici ma dotati di elevata autonomia della batteria.

Come risaputo, tallone d'Achille di questi chip sono, invece, le prestazioni offerte, paragonabili a quelle della piattaforma Intel Sonoma, seconda generazione Intel Centrino. Infatti l’Atom N270 ai benchmark ottiene un punteggio di poco superiore ad un Pentium M 733 (Dothan).

La questione è stata ampiamente dibattuta ma bisogna prendere atto del fatto che la velocità di calcolo non è una virtù fondamentale per la tipologia d'impiego per cui sono stati ideati i netbook.

Alcuni produttori cercano di ridurre questo inconveniente consentendo un overclock controllato del processore tramite gestori di risparmio energetico proprietari. Questo, però, non è il caso di Samsung, che tramite lo shortcut da tastiera FN+F8 permette di scegliere fra 3 modalità differenti, Silent, Normal e Fast, ma nessuna spinge il processore oltre la frequenza nominale.

Il MCH offre supporto per un quantitativo massimo di 2 GB di memoria DDR2 in single channel a 533MHz. Sarà quindi possibile effettuare un upgrade del modulo da 1GB in dotazione rimpiazzandolo con un banco di capacità doppia.

• Nome modulo: Samsung M4 70T2864QZ3-CF7
• Capacità modulo:  1 GB (2 ranks, 8 banks)
• Tipo modulo: SO-DIMM
• Velocità: DDR2-800 (400 MHz)
• Ampiezza bus: 64 bit
• Voltaggio: SSTL 1.8
• Metodo rilevamento errore: Nessuno
• Frequenza di aggiornamento: Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
• Timing della memoria:
  @ 400 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-4-6-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
  @ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-4-5-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
  @ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-3-4-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

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