Home News IDF 2007 San Francisco: Intel presenta la tecnologia Silicon Photonic

IDF 2007 San Francisco: Intel presenta la tecnologia Silicon Photonic

ImageLa prima legge di Moore richiede un costante impegno nella ricerca di nuove tecnologie che possano consentire di realizzare processori sempre più potenti: l'ultima in ordine cronologico è la tecnologia Silicon Photonics.

L'IDF (Intel Developer Forum) è la consueta occasione per diffondere informazioni sui progetti a medio e lungo termine che coinvolgono il chipmaker californiano. È stato così anche per l'IDF 2006, quando lntel focalizzò la sua attenzione sulla tecnologia Hybrid Silicon Laser, come soluzione ideale per la realizzazione del programma "Tera-Scale Computing", un sistema che potesse processare ampi volumi di dati, evitando rallentamenti durante le fasi di trasferimento.

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Quest'anno, Intel decide di approfondire l'argomento con la produzione dei primi Photo-Detector, basati su tecnologia Silicon Photonics. Il grande traguardo raggiunto da Intel è dato dalla creazione di dispositivi fotonici, in grado di emettere, trasmettere, controllare e immagazzinare radiazioni luminose, o fotoni, grazie all'impiego del silicio, uno degli elementi più diffusi in natura e attualmente tra i più utilizzati nell'industria elettronica.

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Mario Pannicia, direttore del laboratorio fotonico di Intel, ha avuto l'onore di svelare il primo grande successo dell'azienda in questa ricerca, con la presentazione del rivelatore fotoelettrico in Silicio, con un sottile strato esterno di Germanio, in grado di processare dei dati mediante segnali laser ad una frequenza di 40 Gbps. L'impiego del Germanio è stato necessario, secondo Pannicia, per le doti intrinseche di questo elemento, che si distingue dal Silicio proprio per la sua migliore capacità di assorbimento della luce. Il Silicio infatti si mostra ottimale nella captazione di segnali luminosi, ma non nel loro assorbimento, funzione fondamentale per un sistema ricevente. Nasce così l'esigenza di utilizzare anche il Germanio, compatibile con processi CMOS, che sfrutta l'assorbimento di più lunghezze d'onda (tra 1.3-1.6 micron), traducendole e convertendole in segnali elettronici.

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La costruzione di questo dispositivo è per Intel una vera sfida: i rilevatori fotoelettrici devono essere veloci, efficienti e silenziosi e proprio su quest'ultima caratteristica si stanno incontrando le maggiori difficoltà. La diversa struttura cristallina del Germanio, paragonata a quella del Silicio, crea un reticolo di maglie difforme che probabilmente è la causa del calo in prestazioni di questi sistemi rispetto a quelli standard.

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