Fujitsu perfeziona le memorie ReRAM: velocità e efficienza ad un costo contenuto

{multithumb}I laboratori Fujitsu a Kawasaki, Giappone, hanno oggi reso noti i propri studi su un nuovo tipo di memoria non volatile ReRAM (Resistive RAM), che dovrebbe assicurare una limitata tolleranza del valore di resistenza reale e migliori consumi rispetto alle comuni RAM. L'aggiunta di Titanio all'ossido di Nichel, nella struttura delle ReRAM, ha permesso a Fujitsu di ridurre la corrente necessaria per cancellare la memoria a 100 microampere, con una diminuzione della tolleranza del valore di resistenza fino al 90% rispetto alle convenzionali ReRAM.

La tolleranza del valore di resistenza indica lo scarto massimo del valore reale rispetto al valore nominale. Quanto minore è questo scarto, tanto maggiore è la precisione con cui è stato realizzato un resistore. Si tratta, inoltre, di un fattore critico per le ReRAM, soprattutto in caso di ripetizione dioperazionicome la scrittura e la cancellazione.

Grazie ai costi di produzione relativamente contenuti, alla miniaturizzazione della sua struttura e alle elevate prestazioni, Fujitsu si dice convinta che le memorie ReRAM potranno costituire in futuro una valida alternativa ai chip Flash-NAND.

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